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面向偏压温度不稳定性分析的即时Vth测量

发布时间:2012年09月05日 14:09    发布者:eechina
关键词: 偏压温度 , 测量
在微缩CMOS和精密模拟CMOS技术中对偏压温度不稳定性——负偏压温度不稳定性(NBTI)和正偏压温度不稳定性(PBTI)——监测和控制的需求不断增加。当前NBTI 的JEDEC标准将“测量间歇期的NBTI恢复”视为促进可靠性研究人员不断完善测试技术的关键。简单来说,当撤销器件应力时,这种性能的劣化就开始“愈合”。这意味着慢间歇期测量得出的寿命预测结果将过于乐观。因此,劣化特性分析得越快,(劣化)恢复对寿命预测的影响越小。此外,实验数据显示被测的劣化时间斜率(n)很大程度取决于测量时延和测量速度。因此,为了最小化测量延时并提高测量速度开发了几种测量技术。

资料下载: 2814_OTF Voltage_An - CN.pdf (573.66 KB, 下载次数: 29)

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rinllow6 发表于 2012-9-5 23:37:35
谢谢!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
nwnu_137 发表于 2012-10-5 20:33:54
顶起######!!!!!!!!!
thhakj 发表于 2012-10-20 12:02:13
谢谢
bbseechina 发表于 2012-10-21 16:54:21
谢谢楼主分享,但在实际测量时,我用温度测试仪操作时,发现测量时延和测量速度没有明显相关性。
zhaokuikui 发表于 2012-11-14 16:12:44
xiexie
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