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比利时IMEC宣布已装配ASML NXE:3100试产型EUV光刻机

宣布时间:2011年03月01日 11:03    宣布者:1770309616
要害词: ASML试产型EUV光刻机 , 比利时IMEC
比利时半导体研究机构IMEC比来宣布在其设在比利时鲁汶的研究行动措施中装配了一台ASML临盆的NXE:3100试产型EUV光刻机。IMEC机构的总裁 兼CEO Luc Van den hove会在明天召开的SPIE高等光刻手艺聚会聚会会议(SPIE advanced lithography conference)上所作的演讲中简介这台光刻机的有关信息。此次IMEC装配的NXE:3100 EUV光刻机装备了高功率优化光源系统,彰显了IMEC欲将EUVL手艺推行向适用领域的雄心。

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NXE:3100光刻机装备了接纳放电激起等离子体手艺(DPP (discharge produced plasma))的EUV光源系统,这套光源系统由Extreme Technologies公司制造。在异常的制程条件下,NXE:3100的晶圆加工产出量相比早先推出的EUV Alpha Demo Tool光刻机提升了20倍左右,而产出量的极年夜提升则是源自于新机型光源功率的提升,透射率的提升和双使命台(dual stage:便可同时加工两片晶圆)的新设计。

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IMEC的EUVL手艺研究妄图的主要课题是,将14nm制程逻辑电路和2xnm及1xnm制程存储电路集成在一起制造,并处置赏罚赏罚制造历程当中应用EUV与传统光刻系统在芯片制造工艺方面存在差异的效果,另外,研究的课题还将网罗若那里置赏罚EUV光刻图形线边缘粗拙度不佳,和图形倒线(pattern collapse),掩膜版弱点( reticle defectivity)等效果。IMEC光刻手艺分部的主管Kurt Ronse说:“本周我们会在SPIE高等光刻手艺聚会聚会会议上地下28份手艺文件,这些文件会简介我们和我们的协作错误一起在EUV光阻和掩膜版弱点控制方面所取得一些严严重年夜成就。”
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