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关于K9F1G08U0B-PCB0存储器,你明确若干

宣布时间:2019年05月20日 09:05    宣布者:xunavc
  K9F1G08U0B-PCB0是Samsung的128*8bit NAND Flash,device code 是0xF1,page size是2048bytes,block size 是128K bytes。
  1、浅易形貌(Gener Description)
  由于供应了128*8bit,K9F1G08U0B-PCB0是一个1G bit NAND Flash存储器,另外有32Mbit的多余空间。它的NAND cell在固态市场上供应了最有功效的处置赏罚赏罚妄图。一次编程操作能够在20uS内以(2K 64)bytes的page推行,一次擦除操作能够在1.5ms内对年夜小为(128K 4K) 的blcok推行。数据存放器的数据可以在25ns的时间内以字节为单元读出。I/O管脚不只做为数据和地址的输入/输入端口,同时还作为敕令的输入端口。片上写控制器自动推行所有的编程和擦除功效,这些功效网罗在须要的地方脉冲重复(pulse repetiotion),外部验证和数据留空(marging of data)。以致写敏感(write intensive)的系统也会应用K9F1G08U0B-PCB0的100K的编程/擦除周期的扩年夜可靠性。此可靠性经由历程在实时映照(mapping-out)算法供应ECC(Erro Correct Code)来完成。K9F1G08U0B-PCB0对年夜容量非易掉落行存储器来讲一种优化的处置赏罚赏罚妄图,例如对固态(solid state)文件存储和其他可携带(portable)的非易掉落性应用。
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  3、Product introduction
  K9F1G08U0B-PCB0 www.dzsc.com/ic-detail/9_7892.html是一个1056Mbit的存储器,组织为65536row(pages),2112*8列。空余的64*8列位于列地址2028~2111。在页读(page read)和页编程(page program)操作历程当中,2112字节的数据存放器连到内存单元阵列(memory cell array)协助数据传输。存储器阵列由32个串行毗连的单元(cell)组成,组成一个NAND 结构(NAND structure)。32个单元(cell)每个都存在于一个不合的页中。一个块(block)由两个NAND结构的串(NAND structured strings)组成。一个NAND结构(NAND structure)由32个单元组成(cell)。一个块(block)可以存放1,081,344个单元(cell)。编程(program)和读(read)操作以页为单元推行,而擦除(erase)操作以块(block)为单元推行。存储器阵列(memory array)由1024个伶仃的可擦写的块组成,每块的年夜小是128K bytes。这注解按bit擦写的操作在K9F1G08U0B-PCB0上榨取的。
  K9F1G08U0B-PCB0多路复用8 个I/O管脚。这类机制增添了管脚的数目,同时允许升级到未来的密度(densities)以保持系统版设计的不合性。当nCE为低时,经由历程把nWE设为低电平,敕令(comand)、地址(addrres)和数据(data)被写入I/O管脚。这些行动在nWE处于上升沿时被推行。经由历程I/O 管脚,Command Latch Enable(CLE)和Address Latch Enable(ALE)各自被用来多路复用敕令和地址。一些敕令须要一个总线周期(bus cycle)。例如,重启敕令(Reset Command)和状态读敕令(Status Read Command)等仅仅须要一个总线周期。另外一些敕令则须要两个总线周期,像页读操作(page read),块擦除(block erase)和页编程(page program):一个周期担负培植,此外一个周期担负推行。132M的物理空间须要28个地址线,是以寻址须要四个周期:开真个2个周期用于列地址,前面2个周期用于行地址。页读(page read)和页编程(page program)在须要的敕令后须要四个类似的地址周期。而块擦除(block erase)操作仅须要两个行地址周期。经由历程向敕令存放器写敕令装备操作被选择。Table 1界说了K9F1G08U0B-PCB0专门的敕令。
  除增强的架构和接口,此装备还网罗了copy-back program特点。此特点复制一页到另外一页,着实不须要另外的缓冲区内存。由于time-consuming serial access 和data input cycles删除,固态磁盘应用的系统性能显着前进了。
  4、Initial Invalid Blocks
  除最后有用块(Initial Invalid Block)的职位外,装备的其他职位都可以被擦除(FFh)。最后有用块的状态由余暇区域(Spare area)的第一个字节界说。Samsung确信在每个有用块的第一或许第二页的列地址为2048的地方有non-FFh的数据。由于在年夜多数情形下,有用块的信息也是可以擦除的,有用块信息一旦被擦除就没法恢复了。是以,系统必须能够凭证初始的有用块信息识别有用块,经由历程下面的流程培植有用块列表(Figure 3)。
  对最后的有用块的擦除操作是榨取的。
  5、Device operation
  (1)Page read
  Page read经由历程写00-30h到敕令存放器泉源,接着是四个地址周期。泉源以后,00h敕令首先推行。是以,在泉源以后只需四个地址周期和30h敕令推行。被选择的页的2112个字节的数据在20us内传到数据存放器中。经由历程剖析nRB管脚的输入,系统控制器能够检测到数据传输的完成。一旦一页的数据被读入数据存放器,经由过法式模范次的给nLE脉冲,数据可以再25us周期时间内读出。nRE时钟重复的从高到低的变换,使得装备输入从被选择的列地址到最后的地址的数据。
  (2)Page program
  装备基本上以页为单元编程,然则或允许在一个伶仃的页编程周期内一再再三以一个字到一连的2112个字节的部门编程(partial programming)。在统一个页内,一连的部门编程操作的数目在没有擦除操作拔出的情形下在一个伶仃的页内不克不及逾越4次。寻址应当在一个块内序次阻拦。一个页编程周期由串行数据装入阶段(数据最多2112字节),紧接着一个非易掉落性编程阶段(这个阶段被装在的数据被酿成进照顾的cell)组成。串行数据装入阶段泉源于输入Serial Data Input Command(80h),接着是四个地址周期输入和串行数据的装载。除要编程的数据,其他数据不须要装入。
  Page program confirm command(10h)提议编程历程。没有之前的数据装载,伶仃写10h不会提议编程历程。外部写状态控制器(internal write state controller)自动推行编程和验证的算法和须要的计时,是以会释放系统控制器(system controller)去做其他义务。一旦编程历程泉源,Read Status Register command便可以进入用于读取Status register。系统控制经由历程监视RnB的输入或许Status bit(I/O 6) of Status register。当编程还在阻拦中的时间,只需Read Status command和Reset command是有用的。当Page Program完成的时间,Write Status Bit(I/O 0)可以被检查。internal write verify仅仅检测没有告成酿成为0的那些弱点。Command register停留在Read Status command mode,直到其他的有用地敕令写到 command register中。
  (3)Block erase
  擦除操作以块为基础阻拦。块地址装入由Erase Setup command(60h)提议,在两个周期内完成。只需地址A18到A27是有用的,而A12到A17被忽视。Erase Confirm command(D0h) 跟在块地址前面,提议外部擦除操作。这类两步序列的培植然后是推行指令确保了存储器的内容不会由于外部的噪音而被擦除。erase confirm command输入以后,在nWE的上升沿,internal write controller 处置赏罚赏罚擦除和擦除-验证。当擦除操作完成时,Write Status Bit(I/O 0)可以被检查。
  (4)Read status
  装备网罗一个Status Register,它被读以发现编程或许擦除操作能否完成,能否编程或许擦除操作告成完成。在写70h敕令到command register后,一个读周期在nCE或许nRE的降低沿输入Status register的内容到I/O管脚。这类两行的控制允许系统轮训多存储器毗连中的每个装备,纵然当R/B pins are common-wired。nRE或许nCE着实不须要toggled到更新的状态。关于专门的Status register的界说参考Table 3。Command register停留在Status Read 形式知道前面的敕令声明。是以,假定status register在一个随机读周期内被读,读敕令(00h)应当在泉源读周期前供应。
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