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高速PCB设计指南

宣布时间:2019年05月18日 18:05    宣布者:JLCS

旌旗暗记线路及其旌旗暗记回路
传送旌旗暗记的线路要与其旌旗暗记回路尽能够靠近,以防止这些线路包抄的环路区域发生辐射,并降低环路感应电压的磁化系数。
   浅易情形下,当两条线路间的距离即是线宽时,耦合系数年夜约为0.5到0.6,线路的有用自感应从1μH/m降到0.4-0.5μ H/m.
   这就意味着旌旗暗记回路电流的40%到50%自在地就流向了PCB上其它线路。
   对两个(子)电路块间的每块旌旗暗记蹊径,岂论是模拟的照样数字的,都可以用三种传输线来体现,如图1所示,其中阻抗可从表1取得。
   TTL逻辑电路由高电平向低电平转换时,吸收电流会年夜于电源电流以,在这类情形下,通常将传输线界说在Vcc和S之间,而不是VEE和S之间。经由历程接纳铁氧体磁环可完全控制旌旗暗记线和旌旗暗记回蹊径上的电流。
   在平行导体情形下,传输线的特点阻抗会由于铁氧体而遭到影响,而在同轴电缆的情形下,铁氧体只会对电缆的外部参数有影响。
   是以,相邻线路应尽能够细,而曲折排列的则相反(通常距离小于1.5mm/双层板中环氧树脂的厚度)。布线应使每条旌旗暗记线和它的旌旗暗记回路尽能够靠近(旌旗暗记和电源布线均适用)。假定传输线导体间耦合不够,可接纳铁氧体磁环。
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