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埃赋隆面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管

宣布时间:2019年05月09日 10:05    宣布者:eechina
要害词: LDMOS , 射频功率 , ISM
埃赋隆半导体(Ampleon)现在宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺手艺派生出高等加固手艺(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中的首款产物。这个新工艺的开发旨在用于完成极端稳固的、使命电压高达65V的晶体管。

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首款接纳该工艺的产物ART2K0FE是一款2kW的晶体管,其频率照顾为0至650MHz,接纳气腔陶瓷封装。其设计能够遭受工业、迷信和医疗(ISM)应用中有数的最低劣的条件,可用于驱动年夜功率CO2激光器、等离子发生器和一些MRI系统。ART器件之以是适用于这些应用,是由于其可以处置赏罚赏罚65V条件下高达65:1的驻波比(VSWR)掉落配,而这在CO2激光器和等离子发生器使命时能够碰着。

基于ART工艺开发的器件具有很高的阻抗,是以在开发阶段更容易将其集成到产物中,并确保在批量临盆中具有更高的产物不合性。该工艺还可使所开发的器件比LDMOS竞争产物加倍高效。这样便可经由历程节俭输入电能,降低发烧,来降低事实应用的运营资源。此外,接纳该工艺的器件还可完成更高的功率密度,也就是说,它们可以接纳更小、更低资源的封装,从而增添其电路板占位面积,进而降低系统资源。

ART器件还具有高击穿电压,有助于确保它们在一切预期寿命时代坚韧不拔地可靠使命。埃赋隆半导体还保证这类器件可以供货15年,从而使产物设计职员可以阻拦耐久妄图。

接纳气腔陶瓷封装的ART2K0FE现可供应样品,并有不合频率的参考电路可以选择。埃赋隆半导体还供应较低热阻的超模压塑料版本ART2K0PE。两种版本预计在2019年下半年量产。
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