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齐纳二极管原理及应用

宣布时间:2019年05月08日 18:05    宣布者:xunavc
  齐纳二极管又叫稳压二极管,齐纳二极管是一种直莅临界反向击穿电压前都具有很高电阻半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增添而电压则保持恒定,稳压二极管是凭证击穿电压来分档的,由于这类特点,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件应用。其伏安特点,稳压二极管可以勾通起来以便在较高的电压上应用,经由历程勾通便可取得更多的稳固电压。
  齐纳二极管原理
  在通常情形下,反向偏置的PN结中只需一个很小的电流。这个泄电流一直保持一个常数,直到反向电压逾越某个特定的值,逾越这个值以后PN结突然泉源有年夜电流导通(图1.15)。这个突然的意义严严重年夜的反向导通就是反向击穿,假定没有一些内在的措施来限制电流的话,它能够招致器件的破损。反向击穿通常设置了固态器件的最年夜使命电压。可是,假定接纳适当的预防措施来限制电流的话,反向击穿的结能作为一个异常稳固的参考电压。
  招致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication.推敲一个反向偏置的PN结。耗尽区随着偏置上升而加宽,但还不够快到阻挡电场的增强。强年夜的电场加速了一些载流子以异常高的速率穿过耗尽区。当这些载流子碰撞到晶体中的原子时,他们撞击松的价电子且发生了特此外载流子。由于一个载流子能经由历程撞击来发生特此外成千上外的载流子就似乎一个雪球能发生一场雪崩一样,以是这个历程叫avalanche multiplication。
  反向击穿的此外一个机制是tunneling.Tunneling是一种量子机制历程,它能使粒子在岂论有任何误差存在时都能移动一小段距离。假定耗尽区足够薄,那么载流子便可以靠tunneling腾踊之前。Tunneling电流主要取决于耗尽区宽度和结上的电压差。Tunneling惹起的反向击穿称为齐纳击穿。
  结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽须要越高的击穿电压。就如先前议论辩说的一样,搀杂的越轻,耗尽区越宽,击穿电压越高。当击穿电压低于5伏时,耗尽区太薄了,主若是齐纳击穿。当击穿电压高于5伏时,主若是雪崩击穿。设计出的主要使命于反向导通的状态的PN二极管凭证占主导职位的使命机制划分称为齐纳二极管或雪崩二极管。齐纳二极管的击穿电压低于5伏,而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。通常工程师们岂论他们的使命原理都把他们称为齐纳管。是以主要靠雪崩击穿使命的7V齐纳管能够会令人嫌疑不解。
  现实上,结的击穿电压不只和它的搀杂特点有关还和它的几何形状有关。以上议论辩说剖析了一种由两种匀称搀杂的半导体区域在一个平面订交的平面结。虽然有些真实的结近似这类理想情形,年夜多数结是曲折的。曲率增强了电场,降低了击穿电压。曲率半径越小,击穿电压越低。这个效应对薄结的击穿电压由很年夜的影响。年夜多数肖特基二极管在金属-硅接壤面边缘有一个很显着的断层。电场强化能极年夜的降低肖特基二极管的丈量击穿电压,除非有特其他措施能削弱Schottky barrier边缘的电场。
  齐纳二极管SMF05C.TCT www.dzsc.com/ic-detail/9_3766.html的参数
  类型:齐纳
  单向通道:5
  电压 - 反向关态(尺度值):5V(最年夜)
  电压 - 击穿(最小值):6V
  电压 - 箝位(最年夜值)@ Ipp:12.5V
  电流 - 峰值脉冲(10/1000?s):8A(8/20?s)功率 - 峰值脉冲:100W电源线路掩护:无
  应用:通用
  不合频率时的电容:130pF @ 1MHz
  使命温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
  装配类型:外面贴装
  封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  供应商器件封装:SC-70-6
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