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Littelfuse低电容瞬态榨取二极管阵列可增强ESD、CDE、EFT与雷击感应浪涌掩护

宣布时间:2019年05月05日 09:05    宣布者:ningxueqin
  Littelfuse公司作为全球电路掩护领域的争先企业,推出一个低电容瞬态榨取二极管阵列产物系列,用于掩护高速差分数据线免因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌而破损。
  每个SP2555NUTG系列瞬态榨取二极管阵列(SPA®二极管)都可在高达45A和30kV ESD的条件下掩护四个通道或两个差分线对。
  SP2555NUTG系列产物的浪涌容差高于现在市情上的瞬态榨取二极管阵列,并可到达新兴以太网协定较低的电压目的。
  SP2555NUTG系列的尺度应用网罗10/100/1000以太网、WAN/LAN装备、台式电脑、服务器和条记本电脑、LVDS接口、集成式磁性元件与智能电视。
  “仰仗每个输入/输入2.5pF的低电容和较低的箝位电压水平,SP2555NUTG系列成为条记本电脑、交流机和其他群集装备中1GbE应用等高速数据接口的理想选择。”
  Littelfuse瞬态榨取二极管阵列产物司理Tim Micun体现,“低电容可掩护旌旗暗记完全性,并最年夜限制地增添数据损掉落,同时供应免受电气威逼的更强年夜装备。”SP2555NUTG系列瞬态榨取二极管阵列具有以下凹陷优势:
  1、每个输入/输入2.5pF的低电容有助于掩护旌旗暗记完全性,并最年夜限制地增添数据损掉落,同时供应免受电气威逼的更强年夜装备。
  2、3.0mm x 2.0mm μDFN封装经由优化,可在高达45A和30kV ESD的条件下掩护两个差分数据线对(四个通道)。
  3、“直通型”设计可保证旌旗暗记完全性、增添电压过冲并简化印刷电路板设计。
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