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安森美基于SiC的混淆IGBT和隔离型年夜电流IGBT门极驱动器将在欧洲PCIM 2019推出

宣布时间:2019年04月30日 14:04    宣布者:eechina
要害词: IGBT , 碳化硅 , SiC , 门极驱动
安森美半导体(ON Semiconductor)将于5月7日开真个德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混淆IGBT和相关的隔离型年夜电流IGBT门极驱动器。

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AFGHL50T65SQDC接纳最新的场阻拦IGBT和SiC肖特基二极管手艺,供应低导通消耗和开关消耗,用于多方面的电源应用,网罗那些将得益于更低反向恢复消耗的应用,如基于图腾柱的无桥功率因数校订(PFC)和逆变器

该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管合营封装,从而在硅基妄图的较低性能和完全基于SiC妄图的较高资源之间供应精彩的权衡。该高性能器件特殊使命电压650 V,能够处置赏罚赏罚高达100 A@25 C (50 A@100 C)的一连电流,和高达200 A的脉冲电流。关于须要更年夜电流才干的系统,正温度系数令并行使命更轻盈。

现代电动汽车的应用不只应用动力行驶,在某些情形下还贮存能量,以便在岑岭时代为家庭供电。这须要一个双向充电器,必须有高的开关效力,以确保转换时不铺张能量。在这类情形下,集成外部SiC二极管的IGBT比MOSFET妄图供应更高能效,由于没有相关的正向或反向恢复消耗。

AFGHL50T65SQDC可在高达175 C的结温下使命,适用于网罗汽车在内的最严苛的电源应用。它完全切合AEC-Q 101认证,进一步证实着适用于电动汽车(EV)和混淆动力汽车(HEV) 车载充电机。

除新的混淆IGBT,安森美半导体还将在PCIM推出并展示一系列新的隔离型年夜电流IGBT驱动器。NCD(V)57000系列针对多种电源应用,网罗太阳能逆变器、电机驱动、不一连电源系统(UPS)和汽车应用如动力总成和PTC加热器。

NCD(V)57000系列是年夜电流单通道IGBT驱动器,内置伽伐尼安然隔离设计,以在请求高可靠性的电源应用中供应高能效使命。该器件具有输入互补、漏极开路误差和输入准备停当、有源米勒钳位、准确欠压锁定(UVLO)、软关断去饱和(DESAT)掩护、负门极电压引脚和伶仃的高、低驱动输入等特点,为系统设计供应无邪性。

该器件的伽伐尼隔离特殊值年夜于5 kVrms,知足UL 1577的请求,使命电压高于1200 V,保证8 mm爬电距离(输入>输入)以知足强化的安然隔离请求。NCD(V)57000器件可供应7.8 A驱动电流和7.1 A汲电流才干,是某些竞争器件的三倍多。更主要的是,它们还具有在米勒平展区使命时更年夜的电流才干,同时联络其先进的掩护特点,使它们成为同类最好的IGBT驱动器。
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