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安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管供应更高能效、更高功率密度和更低的系统资源

宣布时间:2019年04月30日 10:04    宣布者:ningxueqin
  安森美半导体 (ON Semiconductor)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产物,扩年夜了SiC二极管产物组合。这些二极管的尖端碳化硅手艺供应更高的开关性能、更低的功率消耗,并轻松完成器件并联。
  安森美半导体时时彩qq群的650 V SiC 二极管系列 供应6安培(A)到50 A的外面贴装和穿孔封装。一切二极管均供应零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳固性、高浪涌容量和正温度系数。
  工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中央电源等种种应用的PFC和升压转换器时,经常面临在更小尺寸完成更高能效的寻衅。这些全新的二极管能为工程师处置赏罚赏罚这些寻衅。
  这些650 V器件供应的系统优势网罗更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压(VF)及SiC二极管的无反向恢来电荷能增添功率消耗,是以前进能效。SiC二极管更快的恢复速率令开关速率更高。
  是以可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸,完成更高的功率密度和更小的所有电路设计。此外,SiC二极管可遭受更高的浪涌电流,并在 -55至 +175°C的使命温度规模内供应稳固性。
  安森美半导体的SiC肖特基二极管具有希奇的专利终端结构,增强可靠性并提升稳固性和耐用性。此外,二极管供应更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关(UIS)才干和最低的电流走漏。
  安森美半导体MOSFET营业部高等副总裁兼总司理Simon Keeton体现:“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件相反相成,为客户带来更普遍的产物规模。SiC手艺应用宽带隙 (WBG) 质料的希奇异点,比硅更实惠,其稳健的结构为严苛情形中的应用供应可靠的妄图。我们的客户将受益于这些简化的、性能更佳、尺寸设计更小的新器件。”
  富昌电子[Future Electronics]是全球著名的[microchip]等数百家全球著名半导体供应商,笼罩[轻触开关]等浩荡产物线,热门料号网罗[RC0603FR-071ML]。
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