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寻觅MOSFET和IGBT应用之间的界线 [复制链接]

ningxueqin (离线)
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揭晓于 2019-3-26 19:48:41 |只看该作者 |倒序浏览
  GBT和MOSFET的特点使得它们的选择在年夜多数应用中都很质朴。但在特**叉处,两种器件类型都有其优弱点,使选择变得不太容易。基于碳化硅(SiC)手艺的MOSFET的生长使选择进一步严重年夜,由于它们供应了比硅MOSFET更高的性能(更快的开关速率、更低的消耗),但单元资源显着更高。

  MOSFET的结构网罗一个二极管,异常适用于处置赏罚赏罚续流电流。在电压低于200V 的MOSFET中,如意法半导体的STM F7系列、飞兆半导体的Power Trench系列、恩智浦半导体的PowerMOS Trench 9 和Trench系列,和Vishay的第四代系列,它们集成的二极管开关速率异常快。为了完成与IGBT类似的功效,设计者必须指定一个“合营封装IGBT”- 即在单个封装里集因素立式快速二极管和IGBT,这是比尺度MOSFET更年夜、更昂贵的处置赏罚赏罚妄图。

  在使命电压高于500V的应用中,选择变得加倍严重年夜:由于超级结(SJ)MOSFET的开发针对使命电压逾越500V的高压系统,如意法半导体的MDmesh II、MDmesh V、FDmesh II和SuperMESH 5系列,飞兆半导体的SuperFet II、Easy Drive、Fast和Fast Recovery (FRFET)系列,和Vishay的E和EF系列。与浅易MOSFET相比,SJ MOSFET能在更高电压规模内用作“合营封装IGBT”的替换产物。效果是,SJ MOSFET的外部体二极管本质上比IGBT的浅易FRED合营封装超快二极管慢。

  在电压低于600V且具有相对较低的功率输入的条件下,MOSFET支持比IGBT更高的开关速率,供应更高的效力,使其成为比以往更可行的选择。不外,虽然,在推敲了所无性能参数以后,最主要的工程参数能够会决议事实选择,该参数无疑是单元资源。

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