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TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功效的隔离式栅极驱动器,可显着节约能耗,并为高压系统修建强硬樊篱

宣布时间:2019年03月18日 15:03    宣布者:eechina
要害词: IGBT , SiC , 栅极驱动
新型TI栅极驱动器供应先进的监控和掩护功效,同时还能提升汽车和工业应用中的总系一切效力

德州仪器(TI) 推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不只能够供应精彩的监控才干,还可为高压系统修建强硬的掩护樊篱。UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750可赞助设计师开发更小巧、更高效和具有更卓越性能的牵引逆变器、车载充电器、太阳能逆变器和电机驱动设计。如需明确更多信息,请会见UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750。

这些供应集成传感功效的装备系TI开创,适用于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),极年夜简化了设计,且完成了更高的应用系统可靠性,应用的使命电压最高可达1.5KVRMS。仰仗集成式组件,它们能够阻拦快速检测,针对过流事宜供应有用掩护,而且确保系统安然关机。

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750应用电容隔离手艺,构建了较长的隔离势垒应用寿命,同时供应高增强隔离电压、快速数据传输和高密度封装。

“系统稳健性日趋成为高压电机驱动和功率输入应用的一年夜寻衅”,TI高压电源部门副总裁Steve Lambouses说道,“这些新式栅极驱动器接纳了TI的先进隔离手艺,并联络了其它功效和支持,使工程师得以更快速进入到可靠系统的临盆阶段,并可将系统体积和资源降至更低。”

UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750产物的要害功效与优势

•        增强系统性能:新鲜隔离式栅极驱动器的岑岭驱动强度为±10 A,这使得开关行动具有最年夜限值,不只增添了资源,而且200 ns的过流掩护可快速启动系统掩护。
•        增强系统级可靠性:UCC217xx系列经由历程电容隔离手艺和业界争先的增强隔离电压及高达12.8 kV的电涌抗扰性,延伸了隔离势垒的应用寿命。此外,这些装备借助逾越150 V/ns的共模瞬变榨取才干(CMTI),确保了准确的数据通讯。
•        减小系统尺寸:这些栅极驱动器经由历程集成缓冲区和传感器免去应用外部组件的须要,更可借助隔离式模拟旌旗暗记到PWM(脉宽调制)旌旗暗记传感器供应准确的温度、电流或电压传感,进而年夜幅简化系统级诊断和防止开关误差的设计。

先进的电源级系统性能与可靠性

此外,TI还宣布面向须要前进抗滋扰度和扩年夜使命温度规模的工业应用设计师,推出UCC23513,这是一款兼容光电元件的栅极驱动器,驱动强度为3A,增强的安然隔离电压为5KVRMS。这一新式栅极驱动器旨在年夜限制前进电机驱动、太阳能逆变器和电源装备的系统性能与可靠性。它供应从-40&ordm;C 至 +150&ordm;C的宽结点温度规模和逾越100 V/ns的CMTI,使设计师能够完成传统光耦合器没法到达的性能水平。借助UCC23513与光隔离栅极驱动器的引脚到引脚兼容性和现成的设计资源,网罗用于200-480 VAC驱动的基于光电仿真输入栅极驱动器的三相逆变器参考设计等,设计师能年夜年夜延伸产物上市时间。

封装、供货情形

您可经由历程TI市廛取得UCC21710-Q1、UCC21732-Q1、UCC21750和UCC23513栅极驱动器的预临盆样品。下表列出了价钱和封装类型。
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