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ARM中ROM,RAM,FLASH基础知识备忘 [复制链接]

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揭晓于 2019-3-10 10:40:07 |只看该作者 |倒序浏览
要害词: ARM中ROM , RAM , FLASH基础知识备忘
RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取影象体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和生涯数据的。它在任甚么时间辰都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运转法式模范模范的暂时存储介质(可称作系统内存)。

不外,当电源关闭时RAM不克不及生涯数据,假定须要生涯数据,就必须把它们写入到一个耐久的存储器中(例如硬盘)。正由于云云,有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和静态内存(DRAM)两年夜类。DRAM由于具有较低的单元容量价钱,以是被年夜量的接纳作为系统的主影象。

ROM(Read Only Memory)的全名为唯读影象体,它相当于PC机上的硬盘,用来存储和生涯数据。ROM数据不克不及随便更新,然则在任甚么时间辰都可以读取。纵然是断电,ROM也能够或许或许生涯数据。然则质料一但写入后只能用特殊措施或基本没法更改,是以ROM常在嵌入式系统中继续存放作业系统的用处。现在市情上主流的PDA的ROM年夜小是64MB和128MB。

RAM和ROM相比,二者的最年夜差异是RAM在断电以后生涯不才面的数据会自动消掉落,而ROM就不会。

由于ROM不容易更改的特点让更新质料变得相当费事,是以就有了Flash Memory的生长 ,Flash Memory具有ROM不需电力保持质料的利益,又可以在须要的时间随便任性更改质料 ,不外单价也比浅易的ROM要高。

SRAM速率异常快,是现在读写最快的存储装备了,然则它也异常昂贵,以是只在请求很苛刻的地方应用,例如CPU的一级缓冲,二级缓冲。静态RAM(Dynamic RAM/DRAM)生涯数据的时间很短,速率也比SRAM慢,不外它照样比任何的ROM都要快,但从价钱下去说DRAM相比SRAM要克己许多,盘算机内存就是DRAM的。

DRAM分为许多种,有数的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM和WRAM等,这里简介其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这类刷新型的RAM和SDRAM是基本一样的,不合的处所在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速率加倍了。这是现在电脑中用得最多的内存,而且它有着资源优势,现实上击败了Intel的另外一种内存尺度-Rambus DRAM。在许多高真个显卡上,也装备了高速DDR RAM来前进带宽,这可以年夜幅度前进3D加速卡的像素衬着才干。

内存使命原理:内存是用来存放以后正在应用的(即推行中)的数据和法式模范模范,我们寻常所提到的盘算机的内存指的是静态内存(即DRAM),静态内存中所谓的"静态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经由一段时间,数据会损掉落,是以须要一个特殊设电路阻拦内存刷新操作。

详细的使命历程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0照样1取决于电容能否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据损掉落的启事;刷新操作定期对电容阻拦检查,若电量年夜于满电量的1/2,则以为其代表1,并把电容充斥电;若电量小于1/2,则以为其代表0,并把电容放电,藉此来保持数据的一连性。

ROM也有许多种,PROM是可编程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)二者差异是,PROM是一次性的,也就是软件灌入后,就没法修改了,这类是早期的产物,现在曾经弗成能应用了,而EPROM是经由历程紫外光的照射擦出原来的法式模范模范,是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是经由历程电子擦出,价钱很高,写入时间很长,写入很慢。

举个例子,手机软件浅易放在EEPROM中,我们打德律风,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是立时写入经由历程纪录(通话纪录生涯在EEPROM中),由于其时有很主要使命(通话)要做,假定写入,漫长的期待是让用户冤枉叱责的。

FLASH存储器又称闪存,它联络了ROM和RAM的优点,不只具有电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还不会断电损掉落数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这类存储器。在之前的20年里,嵌入式系统一直应用ROM(EPROM)作为它们的存储装备,可是近年来Flash周全取代了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的职位,用作存储Bootloader和操作系统或许法式模范模范代码或许直接当硬盘应用(U盘)。

现在Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们有数的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运转装载在NOR FLASH外面的代码,如允许以增添SRAM的容量从而节约了资源。NAND Flash没有接纳内存的随机读取手艺,它的读取是以一次读取一块的形式来阻拦的,通常是一次读取512个字节,接纳这类手艺的Flash较量克己。用户不克不及直接运转NAND Flash上的代码,是以许多若干许多几何应用NAND Flash的开发板除应用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运转启动代码。

浅易小容量的用NOR Flash,由于其读取速率快,多用来存储操作系统等主要信息,而年夜容量的用NAND FLASH,最有数的NAND FLASH应用是嵌入式系统接纳的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘",可以在线擦除。

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