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Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET 第四代 N沟道功率MOSFET

宣布时间:2019年02月22日 10:02    宣布者:eechina
要害词: TrenchFET , 功率MOSFET
器件接纳PowerPAK SO-8单体封装,栅极电荷为52 nC,输入电荷为68 nC均到达同类产物最好水平

Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的60 V TrenchFET 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于前进功率转换拓扑结构的效力,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输入电荷到达同类产物最低水平。

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日前宣布的器件10 V条件下最年夜导通电阻降至1.7 m,栅极电荷仅为52 nC,输入电荷为68 nC,COSS为992 pF。在功率转换应用中,这款MOSFET的栅极电荷与导通电阻乘积和输入电荷与导通电阻乘积优值系数 (FOM) 划分比前代器件降低32 %和45 %。MOSFET的COSS降低69 %。

SiR626DP刷新了手艺规格,经由调校最年夜限制降低导通和开关消耗。器件前进了AC/DC拓扑结构同步整流,隔离式DC/DC拓扑结构原边和副边开关效力,适用于太阳能微型逆变器和通讯、服务器、医疗装备电源、电动工具和工业装备电机驱动控制、电池治理模块的电池切换。

MOSFET经由100% RG和UIS测试,切合RoHS尺度,无卤素。

SiR626DP现可供应样品并已完成量产。产物供货周期为30周,视市场情形而定。
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