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场效应管AO4354的特点 [复制链接]

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揭晓于 2018-11-28 16:46:03 |只看该作者 |倒序浏览
要害词: 场效应管AO4354 , 场效应管
  场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子加入导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、静态规模年夜、易于集成、没有二次击穿情形、安然使命区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强年夜竞争者。
  场效应管(FET)是应用控制输入回路的电场效应来控制输入回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
  由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
  特点
  与双极型晶体管相比,场效应管具有以下特点。
  (1)场效应管是电压控制器件,它经由历程VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,是以它的输入电阻(107~1012Ω)很年夜。
  (3)它是应用多数载流子导电,是以它的温度稳固性较好;(4)它组成的镌汰年夜电路的电紧镌汰年夜系数要小于三极管组成镌汰年夜电路的电紧镌汰年夜系数;(5)场效应管的抗辐射才干强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子疏散惹起的散粒噪声,以是噪声低。
  场效应管AO4354 http://www.dzsc.com/ic-detail/9_1105.html概述
  最新的Trench Power AlphaMos(阿摩司LV)手艺异常低的RDS(on)在4.5VASLow Gate Charge年夜电流才干ROHS和无卤顺应性应用1.Raua值是在Ta=25°C的窗台空气情形下用20Z铜装配在1in2FR-4板上的装配丈量的。在任何给定的应用中,Raua值取决于用户的规格板设计。
  2.功率消耗P基于Twx-150”C,接纳10s结晶-情形热阻。
  3.重复特殊脉冲宽度受结温Tpax-150°C限制。特殊值基于低频和占空比电路以保持初始Tj;=25℃。
  4、最新Trench Power AlphaMOS(α-MOS LV)手艺4.5 VGS极低RDS(ON)5、Low Gate Charge6、高电流才干
  7、RoHS和无卤顺应性
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