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银联宝科技为你掘客MOS管驱动电路玄妙

宣布时间:2018年10月26日 10:10    宣布者:花海石
         1、MOS管种类和结构
      MOSFET管是FET的一种(此外一种是JFET),可以被制组成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但现实应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,以是通常提到NMOS,或许PMOS指的就是这两种。至于为甚么不应用耗尽型的MOS管,不建议追根究底。
关于这两种增强型MOS管,较量经常应用的是NMOS。启事是导通电阻小,且容易制造。以是开关电源和马达驱动的应用中,浅易都用NMOS。下面的简介中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们须要的,而是由于制造工艺限制发生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时间要费事一些,但没有措施防止,后边再详细简介。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动理性负载(如马达),这个二极管很主要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片外部通常是没有的。
      2、MOS管导通特点
      导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特点,Vgs年夜于一定的值就会导通,合适用于源极接地时的情形(低端驱动),只需栅极电压到达4V或10V便可以了。PMOS的特点,Vgs小于一定的值就会导通,合适用于源极接VCC时的情形(高端驱动)。然则,虽然PMOS可以很便利地用作高端驱动,但由于导通电阻年夜,价钱贵,替换种类少等启事,在高端驱动中,通常照样应用NMOS。

3、MOS管开关管损掉落
岂论是NMOS照样PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部门消耗的能量叫做导通消耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通消耗。现在的小功率MOS管导通电阻浅易在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和阻拦的时间,一定不是在瞬间完成的。MOS两真个电压有一个降低的历程,流过的电流有一个上升的历程,在这段时间内,MOS管的损掉落是电压和电流的乘积,叫做开关损掉落。通常开关损掉落比导通损掉落年夜许多,而且开关频率越快,损掉落也越年夜。
导通瞬间电压和电流的乘积很年夜,组成的损掉落也就很年夜。延张开关时间,可以减小每次导通时的损掉落;降低开关频率,可以减小单元时间内的开关次数。这两种措施都可以减小开关损掉落。

4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,浅易以为使MOS管导通不须要电流,只需GS电压高于一定的值,便可以了。这个很容易做到,然则,我们还须要速率。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,现实上就是对电容的充放电。对电容的充电须要一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容算作短路,以是瞬间电流会较量年夜。选择/设计MOS管驱动时第一要重视的是可供应瞬间短路电流的年夜小。

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