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Vishay 推出业内首先接纳MicroSMP封装的TMBS整流器系列

宣布时间:2017年07月20日 17:07    宣布者:eechina
要害词: TMBS , 整流器
1A和2A器件的高度为0.65mm,正向压降低至0.36V。显着节俭空间并前进功率密度和效力

Vishay 新增10颗接纳eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩年夜其外面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节俭空间,可替换SOD123W封装的肖特基整流器,反向电压从45V到150V,其中业内首颗接纳MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。

Vishay_20170720_eSMP系列Mic.jpg

现在,2A电流的肖特基整流器浅易接纳SOD123W和SMA封装。明天宣布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也能够或许输入高正向电流,从而前进了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm,高度0.65mm,比SOD123W薄35%,同时占板空间少45%。为完成优胜的散热性能,MicroSMP封装接纳了纰谬称的引线框架设计。

1A整流器的正向压降为0.36V,2A器件的正向压降为0.40V,够增添功率消耗,前进效力。针对高压高频逆变器,DC/DC转换器,续流和极性掩护等工业和商业应用。这些器件尚有经由历程AEC-Q101认证的版本,可用于汽车应用。

新整流器的最高使命结温达+175℃,湿润敏感度品级到达per J-STD-020的1级,LF最岑岭值为+260℃。器件异常合适自动贴装,切合RoHS,无卤素。

器件规格表:
产物编号IF(AV) (A)VRRM (V)IFSM (A)VF at IF and TJ最高TJ  (°C)
VF (V)IF (A)TA (°C)
V1P6

1

60

25

0.45

1

125

150

V2P6

2

60

30

0.51

2

125

150

V1PL45

1

45

25

0.36

1

125

150

V2PL45

2

45

30

0.4

2

125

150

V1PM10

1

100

25

0.58

1

125

175

V2PM10

2

100

30

0.62

2

125

175

V1PM12

1

120

25

0.61

1

125

175

V2PM12

2

120

30

0.65

2

125

175

V1PM15

1

150

25

0.64

1

125

175

V2PM15

2

150

30

0.68

2

125

175


新的TMBS整流器现可供应样品,并已完成量产,年夜宗订货的供货周期为十二周。

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