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同步降压动力总成设计?很质朴

宣布时间:2017年06月29日 11:06    宣布者:eechina
要害词: 同步降压 , 动力总成
作者: Brian Curbo,安森美半导体

同步降压动力总成设计是当今最普遍应用的转换器拓扑结构之一,但为中高压同步降压转换器选择合适 的动力总成元件能够是一项艰辛的义务。设计职员必须从一系列看似无限的器件被选择功率MOSFET,质朴的质量因数(FOM)较量通常不会有最好的转换能 效或资源。要纵不雅不雅全局,假定经由历程老例措施考试考试,必须应用现实的电路中消耗和能效数据阻拦较量,这是一个繁琐和耗时的历程。假定经由历程手工盘算来指定无源元 件,如输入滤波电感电容器懈弛冲器,也会是耗时辛勤的。推敲到工程师们所面临的这些寻衅,安森美半导体开发了一种新型同步降压动力总成设计工具。

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完全的动力总成设计和剖析

新的同步降压动力总成设计工具供应完全的动力总成系统的设计和剖析,网罗功率MOSFET、输入电感、输入电容和可选的缓冲,以是您可以在更短的时 间完成一个妄图。它的使命原理就像电源设计工具Power Supply WebDesigner一样。在几分钟内完成一个设计,只需输入您的系统请求,点击“自动完成”,或在所有的设计法式模范中应用指导设计来微调,从消耗和能效 剖析到原理图、物料单(BOM)和设计申报。具有有用的“信息注释”,无需参考应用注释。建基于我们用于分立元件剖析的FETBench ,支持单、双级 对称和双级纰谬称(功率级)装备的达250V BVDSS的MOSFET。至于事实的无邪性方面,您依然可以联络任何您想用的控制器或驱动器来应用。

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快速“自动设计”或分步微调

同步降压动力总成工具经由历程指导的器件选择,自动搜索MOSFET的综合数据库,并推荐知足您的系统请求的高边和低边开关。用户可以从合适器件的预排 序列表中任选此外一个FET。可以质朴和迅速地在所选表格的左边对用于不合的高边和低边FET的参数数据、消耗和结温阻拦较量。完成动力总成,推荐和选择一 个真实的电感器编码,并凭证系统请求指定输入电容器。最后,还可以指定用于开要害点的R-C缓冲器。

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易于较量MOSFET数据和性能

新的同步降压型动力总成设计工具具有前进的精度,经由历程MOSFET的消耗盘算,网罗迭代的Rds(on)较量温度的影响和可选的定制热阻抗来调剂您 的印刷电路板设计。可以输入您的首选控制器/驱动器数据,如自力的曲折边门极驱动电压、源/汲电阻、延迟时间和门阻尼电阻以完成更高的精度。

此工具供应更详细的消耗和能效剖析,如发生MOSFET消耗的明细(传导、开关、反向恢复等)。动力总成总消耗可按各元件剖析,并为种种不合的输入和负载条件供应消耗和能效图。

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MOSFET消耗明细

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详细的消耗和能效剖析

该工具的开发联络了安森美半导体工程师几十年的电源窍门。经由历程内置所有这些功效和无邪性,您将完成用更少的时间和精神完成您的动力总成妄图。以是别担忧,明天点击:
泉源一个同步降压动力总成设计。欲明确我们更多的在线设计工具,请会见我们的设计工具页面:

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