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ST推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管

宣布时间:2017年05月27日 10:05    宣布者:eechina
要害词: 功率MOSFET
意法半导体推出了接纳先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产物可前进汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商供应先进手艺的汽车零配件年夜厂电装股分无限公司选用。

ST推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接反掩护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封装生涯了尺度封装的尺寸和高散热效力的底部设计,同时将顶部的源极曝露在外面,以进一步提升散热效力,这样设计让外部芯片有更高的特殊输入电流,前进功率密度,让设计职员能够研发更小的电控单元,而无需在功效、性能和可靠性之间做出取舍。

新产物STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的最年夜漏极电流120A,最年夜导通电阻划分为1.5 mΩ和3.0 mΩ,保证高能效,简化系统热治理。此外,总栅电荷划分为172nC和91nC,器件自己电容很低,有助于在高速开关时前进能效。

这两款40V MOSFET器件是意法半导体一个新产物家族的首批产物,接纳意法半导体的STripFET™ F6手艺和槽栅结构,特殊电流和电压规模宽年夜,适用于汽车产物。新MOSFET可以用于极端低劣的使命情形,网罗最高175°C的发念头舱。这些产物100%经由雪崩特殊值测试,其封装的可润湿侧翼引线可完成最好焊接效果,100%支持自动光学检查。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG经由历程AEC-Q101认证,克期上市。此外,该产物家族今年还将推出STripFET F7产物。

如需明确更多产物概略,请会见

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