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安森美半导体的全系列IGBT知足汽车、太阳能逆变器、不一连电源、白家电等种种应用需求

宣布时间:2017年05月16日 17:05    宣布者:eba
要害词: 安森美

安森美半导体是争先的功率器件半导体供应商,供应周全的功率器件,网罗MOSFETIGBT二极管、宽带隙(WBG)中分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,特殊在笼络Fairchild半导体后,是全球第二年夜功率分立器件半导体供应商,在IGBT领域有着弗成较量的优势,供应同类最好的IGBT手艺和最宽年夜的IGBT产物威望。

安森美半导体在IGBT领域的优势

安森美半导体在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装手艺方面有强年夜的知识产威望望,在全球多地具有IGBT制造行动措施,量产熄灭IGBT具有30年履历,600 V和1200 V沟槽场阻拦IGBT平台性能曾经由历程分立产物和功率集成模块(PIM)系列证实。自2016年9月笼络Fairchild,安森美半导体的IGBT产物威望年夜为扩年夜,供应600 V、650 V、1200 V、1350 V、1500 V IGBT,接纳TO-3P、TO-247、TO-247 4L、TO-220、TO-220 FullPak、D2PAK、DPAK等封装,用于汽车、太阳能逆变器、不一连电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等种种不合应用。

图1:安森美半导体的IGBT威望

沟槽栅场阻拦IGBT手艺是以后IGBT领域的一年夜手艺亮点,图2为安森美半导体的沟槽栅场阻拦IGBT的横截面,接纳了后头金属化、后头注入、栅氧化、场氧化、钝化等工艺,电场漫衍呈梯形,可完成优化的导通消耗和开关性能。

图2:沟槽栅场阻拦IGBT横截面

安森美半导体的IGBT具有精彩的非钳位理性开关(UIS)才干,年夜年夜增强了在系统发生瞬态事宜时的可靠性。UIS用以测试器件的抗雪崩才干,如器件在击穿后能遭受的能量水平。UIS才干不依附于击穿电压

安森美半导体的FSIII 超场阻拦1200 VIGBT接纳公司专有的超场阻拦沟槽手艺,并与一个具有软关断特点的快速恢复二极管(FRD)合营封装在一起,供应最小的反向恢复消耗。FSIII FRD接纳更薄的内在层、优化的内在缓冲层和更少搀杂的阳极,体现出更低的正向压降(VF)、更软开关和更低的反向恢复电流(IRRM)。加上其极宽的高度触发的场阻拦层,能完成争先行业的总开关消耗,为年夜功率开关系统在电源能效方面设立新的基准。如NGTB40N120FL3WG的总开关消耗为2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的总开关消耗为1.7 mJ。两款器件在各自特殊电流下的VCEsat均为1.7 V,异常适用于UPS和太阳能逆变器。NGTB40N120L3WG经优化供应低导通消耗,特殊电流下的VCEsat为1.55 V,总开关消耗为3 mJ,主要针对电机驱动应用。这些1200 V IGBT还曾在2016年获《昔日电子》与21IC中国电子网联络揭晓“Top 10电源产物奖”,这是于电子业备受认同着实着实定高品行产物的一个基准。

时时彩安森美半导体的FS4 沟槽场阻拦650 V IGBT,如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,具有高电流才干、高输入阻抗、快速开关和慎密的参数漫衍等特点。

FSIII和FS4都是先进的IGBT手艺,供应高性能和强固的IGBT产物。

此外,安森美半导体不光在分立器件上有业界争先的产物,公司还联络在功率模块上的先进手艺,推出了用于太阳能逆变器和UPS的T型逆变器 PIM。集成化的模块网罗了IGBT及整流器,接纳安森美半导体的专有沟槽FS手艺及强固的超快FRD,装备为中点钳位式T型拓扑结构,能效可逾越98%。模块中的IGBT经由历程在低饱和电压(Vce)和低关断消耗(Eoff)之间权衡取舍,适可而止地优化电路时时彩性能,具有最年夜结温Tj = 175°C或短路才干。模块中的超快整流器供应低VF性能和高温才干。可装备的封装平台接纳年夜功坦率接键合铜(DBC)基板手艺及专有的压合(press-fit)引脚,可以供应更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。

我们对安森美半导体的IGBTPIM模块和竞争对手的IGBT模块阻拦了能效较量测试,它们被评价用于一个7千瓦的T型逆变器应用,使命于15千赫、200 V交流电压和650伏直流链电压。效果注解,安森美半导体的IGBT PIM模块能效和热性能都要优于竞争器件。

用于白家电的IGBT

1. 功率因数校订(PFC) 类应用

时时彩PFC类的IGBT主要用于工业、空调等应用,使命频率在20至40 kHz,峰值电流在20 A至 40 A,请求低噪声、低开关消耗。

不合使命条件下,IPM结构比分立的PFC结构供应更高的使命频率,且由于其将升压线圈布设在电路板上,从而减小磁芯尺寸,进而降低组装资源。在220 V交流电压,4 kW使命频率下,无桥交织式PFC的系统总消耗还较分立的升压PFC降低38%。

表1:安森美半导体用于PFC类白家电的IGBT威望

2. 逆变器类应用

这类应用主要网罗冰箱、洗衣机、洗碗机等,使命频率在5至20 kHz,峰值电流在3至15 A,请求低功耗、高可靠性,若需降低资源,可转向接纳分立的IGBT。

例如,关于用于冰箱的逆变器,安森美半导体供应600 V NGTB03N60R2DT4G、NGTB05N60R2DT4G、NGTB10N60R2DT4G,接纳紧凑的DPAK封装,供应低饱和电压VCE(sat),能遭受达5 μs的短路,散热性极佳,有助于设计职员接纳紧凑的PCB和完成高能效。

关于用于洗衣机、电锯的逆变器或电机,安森美半导体供应接纳DPAK封装的NGTB10N60R2DT4G、接纳TO-220F-3FS封装的NGTB10N60FG和NGTB15N60R2FG,这些IGBT具有低VCE(sat)和高速开关性能,能遭受达5 μs的短路,无需隔离器件,供应高能效。

3. 感应加热类应用

感应加热类应用分为两种拓扑结构:单端式和半桥式。单端式结构质朴,主要用于电饭煲、微波炉等低资源应用,须要IGBT、电容电感时时彩等高压器件,最年夜功率不逾越2 kW,经由历程电压谐振完成软开关,接纳高BVces的IGBT,最好具有快速开关性能,电压规模在1000至1,500 V,电流在15至30 A;半桥式拓扑主要用于频率逾越2 kW 的高功率应用如电磁炉炉面,须要2个IGBT和隔离的门极驱动器,经由历程电流谐振完成软开关,接纳高特殊电流的IGBT,最好具有低VCE(sat),电压规模在600至650 V,电流在40至60 A。

图3:单端拓扑(左)和半桥拓扑(右)

时时彩表2:安森美半导体用于感应加热类白家电的IGBT威望

总结

安森美半导体是争先的IGBT供应商,具有先进的IGBT手艺和宽年夜的IGBT威望,供应从600 V到1500 V、涵盖平面型和沟槽型、FS到FS4的高性能IGBT和IGBT PIM。公司专有的沟槽场阻拦手艺和封装优势,完善地平衡开关消耗和导通消耗,能知足种种应用和不合客户的需求。


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