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ST推出同级争先的900V MOSFET管,提升反激式转换器的输入功率和能效

宣布时间:2017年03月24日 11:03    宣布者:eechina
要害词: MOSFET , 反激式
意法半导体最新的900V MDmesh K5超结MOSFET管让电源设计职员能够知足更高功率和更高能效的系统需求,具有同级最好的导通电阻(RDS(ON))和静态特点。

ST推出同级争先的900V MOSFET管,提升反激式转换器的输入功率和能效

900V击穿电压确保高总线电压系统具有更高的安然系数。新系列产物含有首个RDS(ON)导通电阻低于100mΩ的900V MOSFET管,是RDS(ON) 电阻最低的DPAK产物。业内最低的栅电荷(Qg)确保开关速率更快,在须要宽输入电压的应用领域,完成更年夜的装备无邪性。这些特点确保尺度准谐振电路、自动钳位设计等种种反激式转换用具有高能效和可靠性,笼罩低至35W高至230W的特殊功率规模。此外,低输入输入电容(Ciss,Coss)可完成零电压开关,使半桥LLC谐振转换器的电能消耗最小化。

新器件的高安然系数和优良的静态特点让设计职员能够前进种种产物的性能,例如服务器电源、三相开关式电源(SMPS)、LED照明电源、电动汽车(EV)充电器、太阳能板、焊接机、工业装备驱动系统和工厂自动化

意法半导体MDmesh K5系列超结晶体管产物种类单一,网罗800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V特殊电压的产物。再加上无邪的封装选择,网罗TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247长引脚、IPAK和I2PAK,和D2PAK和DPAK外面功率封装,意法半导体为设计职员供应富厚的超结超高电压(VHV)MOSFET产物。

最新的900V MDmesh K5 MOSFET管克期上市,接纳DPAK封装的STD4N90K5。

如需明确更多概略,请会见

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