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ALLIANCE新推出笼罩1 GB,2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3,78球和96球FBGA封装

宣布时间:2015年01月12日 13:01    宣布者:eechina
要害词: Alliance , DDR3 , 存储器
ALLIANCE新推出笼罩1 GB,2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3,78球和96球FBGA封装

加州圣卡洛斯,2014/7/26-- Alliance Memory(同盟影象)明天推出了一个新的第三代高速CMOS双数据率同步DRAMs (DDR3 SDRAM)和高压DDR3L SDRAMs。容量为1 Gb,2 Gb,4 Gb,9mm FBGA78球状封装。规格为10.5mm*1.2mm和FBGA96球状封装,规格为13mm*1.2mm。明天宣布的器件为双倍数据速率架构,供应高达1600 Mbps极快的转移率和800 MHz的时钟频率。

公司以最小延伸管芯供应可靠DDR3(1.5 V)和DDR3L(1.35 V)SDRAMs,类似引脚兼容替换的处置赏罚赏罚妄图,以联络新一代微处置赏罚赏罚器用于工业、破费者、和通讯应用中——不再须要昂贵的重新设计和部门风险评价。

AS4C128M8D3、AS4C64M16D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3和AS4C512M8D3、DDR3 SDRAMs使命电压从一个+ 1.5 V(双±0.075 V)电源、AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L DDR3L SDRAMs使命从一个+ 1.35 V电源。器件供应0°C---+ 95°C的商业温度规模和-40°C---+ 95°C的工业温度规模。

DDR3和DDR3L SDRAMs供应64M,128M,256M和512M,x 8bit或16bit可外部装备8个扇区。器件供应完全同步操作,并供应可编程4或8bit的可变长度读或写。自动预充电功效可变时序阻拦时供应启动自准时行预充电。易于应用的功效网罗自动刷新或许自刷新,和一个允许系统选择最合适形式的可编程存放器,从而最年夜限制地前进性能。

器件的(Pb)和无卤适用RoHS尺度。

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